美研發新一代電子芯片 武器性能將有革命性變化


     

        美國《防務新聞》周刊網站2月28日報道 原題:經過長時間研發,國防業有了高性能芯片(記者戴夫·馬宗達)

      美國國防工業及政府官員表示,新一代電子芯片將注定給軍事電子市場帶來革命性的變化。

      美國國防部高級研究項目局負責微系統技術的副局長馬克·羅斯克表示,基于氮化鎵的電子芯片已經達到了一定程度的可靠性和產量。這種新一代芯片將在很大程度上取代昔日的砷化鎵芯片,特別是在各種高性能的用途中。

      他還指出,這種技術將會越來越成熟,甚至能最終幫助研制出功能更為強大的硬件。

      來自克里、雷神等芯片制造商的業內官員表示,向新型芯片的過渡進程已經開始。

      洛克希德-馬丁公司采用這種新型芯片的雷達系統部負責研究項目的高級經理湯姆·麥內利斯認為:“氮化鎵有望使芯片的價格更為合理、效率更高且系統性能更為強大!

      業內及政府官員表示,與砷化鎵相比,這種新型技術將使芯片的生產成本、外形尺寸、功率及效率得到大大改進。

      氮化鎵還可以具有比砷化鎵材料高出7倍的熱導率,這就意味著它的冷卻要求較低,但可以具有更大的功率。

      總的來說,氮化鎵功率放大器對于手機電話基站、干擾發射臺、戰術射頻、衛星通信站、配電系統以及軍用雷達系統等高輸出、高頻率設備特別有用。

      然而,對于手機及其他低功率用途的設備來說,砷化鎵可能仍是最好的選擇,因為這種材料在這個功率水平上性能表現非常出色。

      雷神公司研究氮化鎵技術的工程師柯林·惠蘭認為,采用氮化鎵材料的主動電子掃描相控陣雷達搜索能力相當于類似尺寸砷化鎵雷達的5倍,或者說搜索范圍可以擴大50%。甚至可以使雷達的尺寸縮小一半,但仍能具有更強大的性能。

        (來源:新華網)

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